选型设计锦集一 内容简介 1、稳压管与TVS管 2、TVS主要参数 3、TVS选型应注意条件 4、稳压管主要参数 5、稳压管选型规格注意 6、稳压管串并联 7、无源晶振 8、晶振参数指标 9、晶振外围设计 10、如何检测无源晶振电路起振 11、晶振振动原理 12、运放选型 13、三极管单级放大设计 14、增益与放大倍数 15、分贝利处 一、稳压管与TVS管 稳压管:齐纳二极管; 击穿时,反向电阻会降到极地,此期间内,电流增大但电压会保持不变,依据击穿电压来划分。 TVS管：瞬态电压抑制器; 极短响应时间,高浪涌吸收能力,较常用于ESD保护电路中； 二、TVS主要参数 VR临界击穿电压 VB击穿电压(反向电流达到1mA) VC最大箝位电压(达到后电压不随反向电流而变化) PM最大脉冲功率 三、TVS选型应注意条件 VC应低于被保护电路的最大接受电压； VR应大于或等于被保护电路的最大工作电压； PM应大于最大瞬态浪涌功率。 四、稳压管主要参数 1、UZ稳定电压：规定电流下的反向击穿电压； 2、IZ稳定电流：稳压状态时的反向电流(需串限流电阻)； 3、PZM额定功耗：UZ*IZM； 4、rZ动态电阻：稳压区时的阻值,越小,UZ变化小,稳压特性越好； 5、α温度系数：每变化1℃稳压值的变化量； 五、稳压管选型规格注意 1、IZ稳定电流： <IZmin时,不稳压； >IZmax时,过功率损坏； 2、PZM额定功耗： 超过该值会结温过高损坏； 3、α温度系数： UZ<4V,具有负温度系数,升温稳定电压下降； 4<UZ<7V,具有温度系数≈0； UZ>7V,具有正温度系数,升温稳定电压下降； 六、稳压管串并联 1、当稳压管...
EMC电磁兼容锦集一 内容简介 1、 EMC要求 2、 查找确认辐射源 3、 滤波 4、 吸波 5、 接地 6、 屏蔽 7、 能量分散 8、 3W原则 9、 20H原则与辐射 10、 差分信号概念 11、 差分信号特点 12、 差分信号走线注意 一、EMC要求 1、 设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值； 2、 器具对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度； 二、 查找确认辐射源 1、 排除法 A、 拔线法 B、 分区工作排除法 C、 低电压小电流的人体触摸法 D、 区域屏蔽排除法 2、 频谱分析仪频点搜索法 3、 元件固有频率分析法 A、 指对一些元件的固定频率及其倍频频率分析归类法 B、 如晶振等元件的工作频率都是固定的 三、 滤波 1、 电容滤波 2、 RC 滤波 3、 LC 滤波等 四、 吸波 1、 电路串联磁珠法 2、 绕穿磁环法 3、 贴吸波材料法 4、 注意辐射超标电磁波频率必须在所使用的吸波材料所吸收电磁波频率范围之内,否则会失效 五、 接地 1、 单点接地法 2、 多点接地法 六、 屏蔽 1、 加屏蔽罩 2、 外壳屏蔽法 3、 PCB 走线布局屏蔽法 七、 能量分散 1、 是指一些被测物的控制软件可利用展频和跳频等技术对能量集中的频段进行展宽频率带宽和跳变频率实现分散频段能量，从而使附加在单点频率上的能量降低，也就是起到了单点频率辐射的电磁波强度降低的功效 2、 故此法对尖峰毛刺形波形的频率辐射超标会起到显著效果，对包络形波形频率辐射超标起不到明显作用 八、3W原则 X串扰(dB)=20logV敏感设备/V干扰源； 串扰≈K/[1+(D/H)2]≈KH2/(H2+D2)； 九、20H原则与辐射 具有一定电...